Para Light ने New Delhi में लॉन्च की ThermaFlat SiC MOSFETs सीरीज, High-Power Applications में थर्मल समस्या होगी दूर

नई दिल्ली, भारत में 5 अगस्त 2026 को Para Light Electronics ने आधिकारिक तौर पर अपनी ThermaFlat™ SiC MOSFET फैमिली को लॉन्च करने की घोषणा की है, जिसमें ThermaFlat™ I और ThermaFlat™ II शामिल हैं। यह नया सेमीकंडक्टर पोर्टफोलियो अगली पीढ़ी के हाई-पावर डिजाइन में आने वाली बुनियादी थर्मल चुनौती को हल करने के लिए तैयार किया गया है।

ThermaFlat™ टेक्नोलॉजी और सीरीज की विशेषताएं

यह नई सेमीकंडक्टर तकनीक हाई-पावर डिजाइन में थर्मल स्थिरता, कम conduction losses और बेहतर reliability प्रदान करने के लिए बनाई गई है। Para Light की proprietary Ultra-Low RDS(on) Drift Technology द्वारा संचालित ये MOSFETs इंडस्ट्री की एक बड़ी तकनीकी बाधा को दूर करते हैं।

ThermaFlat™ तकनीक पारंपरिक सिलिकॉन और SiC MOSFETs की सीमाओं को फिर से परिभाषित करती है, क्योंकि यह व्यापक ऑपरेटिंग तापमान में लगभग फ्लैट on-resistance बनाए रखती है। ThermaFlat™ I सीरीज इंडस्ट्री-स्टैंडर्ड पैकेजेस में 650 V और 1200 V विकल्पों में उपलब्ध है। वहीं, ThermaFlat™ II सीरीज Ultra-Low RDS(on) Drift को High VGS(th) आर्किटेक्चर के साथ जोड़ती है, जो बेहतर नॉइज इम्युनिटी प्रदान करती है और नेगेटिव गेट-ऑफ वोल्टेज सप्लाई की आवश्यकता के बिना फॉल्स टर्न-ऑन को रोकती है। 650 V, 21mΩ TO-247 डिवाइस की बेंचमार्क टेस्टिंग से पता चला कि जंक्शन तापमान -25°C से +125°C तक बदलने पर इसका RDS(on) लगभग 8% बदलता है।

लक्षित बाजार और अनुप्रयोग (Applications)

ये उन्नत SiC MOSFETs विशेष रूप से तेजी से बढ़ते इलेक्ट्रिफिकेशन बाजारों में अगली पीढ़ी के हाई-पावर डिजाइन को लक्षित करते हैं। प्रमुख अनुप्रयोगों में आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस (AI), हाई-परफॉर्मेंस कंप्यूटिंग (HPC), रिन्यूएबल एनर्जी सिस्टम्स, इलेक्ट्रिक वाहन (EVs) और एनर्जी स्टोरेज सॉल्यूशंस शामिल हैं।

Para Light Electronics ताइवान, चीन, अमेरिका, भारत और म्यांमार में वैश्विक उपस्थिति रखती है। कंपनी डिवाइस डिजाइन, वेफर सहयोग, उन्नत पैकेजिंग और सप्लाई चेन मैनेजमेंट में अपनी व्यापक विशेषज्ञता का उपयोग करके ऐसे नवाचारों को बाजार में लाती है।